提升充电电流的升压MOSFET结构及其制造方法

本发明提供一种提升充电电流的升压MOSFET结构及其制造方法。该结构在作为漂移区的N型外延层下方，于P型衬底内增设了N型注入层及位于其内的P型注入层，二者共同构成与漂移区并联的附加电流通路。该设计有效降低了器件的总导通电阻，显著提升了充电电流。同时，在器件承受反向电压时，P型注入层与衬底形成的纵向JFET结构可夹断该附加通路，并协同优化电场分布，将单一电场峰值变为两个较低峰值，从而在提升充电电流的同时进一步提高了反向击穿电压。本发明解决了超高压器件中高耐压与大电流之间的固有矛盾，全面提升了器件的综合性能。