功率半导体器件

本公开内容提供了具有肖特基接触结构的功率半导体器件。该功率半导体器件包括：在第一方向上以预定的间隔间隔开的栅极区；定位在栅极区之间的第一导电型的高掺杂源极区；设置在第一导电型的高掺杂源极区上的源极接触区；在与第一方向相交的第二方向上以预设的间隔隔开的第二导电型的多个埋入式柱区；以及形成在第二导电型的多个埋入式柱区与栅极区相交的点处的肖特基接触区。