芯片结构及具有其的制作方法、车辆

本发明提供了一种芯片结构及具有其的制作方法、车辆。包括：衬底层和N型漂移层，N型漂移层设置于衬底层的上表面，在N型漂移层上表面设置有Pwell层，Pwell层的外层设置有第一N+层；第一N+层上开设有多个U型沟槽，U型沟槽从第一N+层的上表面依次穿过第一N+层、Pwell层至N型漂移层内，其中，相邻两个U型沟槽之间设置有V型沟槽，V型沟槽从第一N+层的上表面依次穿过第一N+层、Pwell层至N型漂移层内；V型沟槽的槽底设置有第二N+层，第二N+层位于N型漂移层内，在槽底沉积金属与第二N+层形成肖特基接触合金层，以形成肖特基二极管。本申请解决了现有技术中碳化硅器件续流过程体二极管导通压降大，反向恢复电流大而导致的损耗过大的问题。