一种薄膜晶体管突触器件及其制备方法

本发明公开了一种薄膜晶体管突触器件及其制备方法。该薄膜晶体管包括栅电极、栅介质层、沟道层以及源漏电极；所述沟道层由不同载流子浓度的氧化物薄膜构成，具有N–N–N复合结构；所述沟道层包括位于中部的IGZO薄膜以及分别位于两端的IZO薄膜，两侧的IZO薄膜与中部IGZO薄膜部分搭接，形成横向复合且局部纵向重叠的结构区域；所述源漏电极分别设置于两端的IZO薄膜上；所述栅介质层位于所述沟道层的上方或下方，以形成顶栅结构或底栅结构。该薄膜晶体管突触器件兼顾迁移率、阈值电压与稳定性，并可根据应用需求实现记忆效应的灵活可调。