半超结器件的终端结构

本发明公开了一种半超结器件的终端结构中，半超结结构包括：第一和第二外延层，第二外延层中形成超结结构。终端区环绕在有源区的周侧。在终端区中，各超结结构的第二导电类型柱浮置并为浮置柱。在终端区内侧的各第二导电类型柱都为和第一正面电极连接的电极连接柱。在各浮置柱对应的超结结构底部的第一外延层的表面区域中设置有多个第二导电类型的第一掺杂区，用于提高对浮置柱底部的第一外延层的耗尽能力并使最外侧的电极连接柱对底部的第一外延层的耗尽能力提高到和内侧各电极连接柱对底部的第一外延层的耗尽能力相同。本发明能消除最外侧的电极连接柱的底部处的耐压弱点并从而提高器件的耐压能力。