基于TiNiPt体系栅极金属结构的GaN HEMT及制备方法

本发明公开了一种基于TiNiPt体系栅极金属结构的GaN HEMT及制备方法，包括：衬底，以及位于衬底上的GaN基外延结构；源电极和漏电极，位于器件两端欧姆接触区域的GaN基外延结构上；隔离区域，位于器件两端；其中，隔离区域通过对器件两端的GaN基外延结构表面进行离子注入而形成；钝化层，位于隔离区域上、源电极和漏电极之间的GaN基外延结构上；栅沟槽，贯穿栅电极区域的钝化层直至GaN基外延结构中的AlGaN势垒层内；T型栅电极，位于栅沟槽内、栅沟槽两侧的钝化层上；T型栅电极为TiNiPt体系栅极金属结构，从下到上至少依次包括Ti、Ni、Pt；Ti的厚度不超过5nm，Pt的厚度不超过50nm。