α相三氧化钼薄膜的制备方法、背栅硅基场效应晶体管及其制备方法

本发明属于半导体制造技术领域，具体涉及α相三氧化钼薄膜的制备方法、背栅硅基场效应晶体管及其制备方法。本发明将前驱体分散于有机溶剂中，得到前驱体溶液，前驱体含有钼元素和硫元素；将前驱体溶液涂覆于衬底表面，得到带有前驱体湿膜的衬底；将带有前驱体湿膜的衬底依次热处理、在保护气体气氛中进行第一退火处理、在氧化性气氛中进行第二退火处理，得到α相三氧化钼薄膜。本发明得到的α相三氧化钼薄膜具有薄膜质量高、界面特性优异、晶相纯度高的特点，作为栅极介质层材料能够与二维半导体沟道形成高质量、无损伤的界面，并实现超薄的EOT，从而解决现有技术中FET存在的漏电流大、栅控能力弱的问题。