半导体结构及其形成方法

本公开提供了半导体结构及其形成方法，该方法包括：在衬底上方形成包括第一和第二半导体层的堆叠件，其中第一和第二半导体层具有不同组成且彼此交替；图案化堆叠件以形成有源区域；形成围绕有源区域的隔离结构；在隔离结构上形成硬掩模；在堆叠件上方形成伪栅极结构；使堆叠件的源极/漏极区域凹进，从而产生源极/漏极沟槽；选择性去除第二半导体层，从而在第一半导体层之间产生第一间隙；在第一间隙中形成介电中介层；执行第一蚀刻工艺以使介电中介层横向凹进，从而产生第二间隙；在第二间隙中形成内部间隔件；在源极/漏极沟槽中形成源极/漏极部件；去除伪栅极结构；以及去除一部分介电中介层，同时保留最底部的介电中介层。