一种半导体结构、形成方法及相关器件

本申请实施例提供了一种半导体结构、形成方法及相关器件，其中，所述方法，包括：提供包括衬底和形成在所述衬底上的第一氧化层的基底；在所述基底上形成多个相互间隔的隔离沟槽，以隔离沟槽间的基底为隔离基底；在隔离沟槽中形成包括形成在沟槽侧壁和底部的第二氧化层和填充沟槽的隔离材料的隔离结构；在第一氧化层上形成图形化的掩膜层，其中，所述掩膜层定义高压器件区和非高压器件区；根据所述掩膜层形成高压器件区和非高压器件区，高压器件区包括至少一隔离基底和与所述隔离基底两侧相接的部分隔离结构；修复所述掩膜层和与所述掩膜层接触的隔离材料之间的晶格间隙；在高压器件区内形成介质层。本申请实施例提升了器件的性能。