BCD工艺中制备CFP场板的方法

本发明公开了一种BCD工艺中制备CFP场板的方法，包含：步骤一，在半导体衬底上形成多个浅槽隔离结构以隔离出LDMOS区以及逻辑区；在所述半导体衬底中形成阱区、漂移区，形成LDMOS区以及逻辑区的栅极结构，然后淀积一层侧墙介质层；步骤二，以光刻胶覆盖所述半导体衬底表面并进行曝光显影，打开源、漏区的注入区域；步骤三，对侧墙介质层进行刻蚀，保留栅极结构侧壁的侧墙介质层形成栅极侧墙；对光刻胶打开的源、漏区的注入区域进行N+离子注入，然后去除光刻胶并进行热退火激活；再利用光刻胶定义出P+区的注入区域形成P+区，然后去除光刻胶；步骤四，形成一层SAB介质层；步骤五，刻蚀SAB介质层，形成LDMOS的接触场板。