半导体器件的制造方法

本申请涉及一种半导体器件的制造方法，包括：提供衬底，所述衬底上形成有栅极结构，所述栅极结构包括形成于所述衬底上的栅极和形成于所述栅极的侧壁的栅极侧墙；于所述栅极侧墙的远离所述栅极一侧的所述衬底内形成第一金属硅化物层，所述第一金属硅化物层中远离所述衬底的一侧生成有氧化层；于所述氧化层上形成还原层，并将所述氧化层还原为第二金属硅化物层；去除所述还原层；采用刻蚀剂对所述栅极侧墙进行回刻处理。本申请利用还原层的还原特性将氧化层还原为第二金属硅化物层，减少或者了避免回刻工艺的刻蚀剂及清洁过程中采用的清洗剂对金属硅化物产生腐蚀的风险，从而提高了半导体器件的良率。