半导体器件及其形成方法

在相同衬底上方形成互补场效应晶体管(CFET)和纳米结构场效应晶体管(NSFET)以形成半导体器件。CFET通过将晶体管垂直堆叠在一起实现高晶体管集成密度，并且可以适合于实施先进逻辑电路。NSFET实现高驱动电流，并且可以适合于高性能单元和/或诸如单极单元的特殊单元。本文公开的结构和工艺流程允许CFET和NSFET在相同半导体管芯中共存，以利用CFET和NSFET的益处。所公开的工艺流程可以容易地集成至用于形成NSFET器件的当前工艺流程中，并且有助于推动CFET技术的发展，并且能够创建更高效和更强大的半导体器件。本申请的实施例还涉及半导体器件及其形成方法。