源漏极对称的垂直型全栅MOSFET及其三维集成电路，以及它们的制备方法

传统的垂直型GAA(VGAA)MOSFET由于自下而上的半导体工艺，导致VGAA MOSFET的源漏极不对称，限制了其在集成电路中的应用。本发明提出了一种源漏极对称的VGAA MOSFET的新结构及其三维集成电路、以及它们的制备方法，有望构建区别于传统的叠加芯片或晶圆的三维集成电路的直接在竖直方向上叠加器件的新型三维集成电路。由于该新型三维集成电路能够在三维方向上进行电路设计与布局，所以能同时实现集成电路的速度增加、功耗较低、以及集成度增加。