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기록

半导体器件及制备方法、集成电路、电子设备

발명유효
2조회수
23청구항 · 4 독립항
§ Ⅰ

개요

발명자

许淼; 李晨; 李天然; 刘燕翔

IPC 분류

H10D 84/85 (2025.01)H10D 84/03 (2025.01)H10W 42/60 (2026.01)

本申请的实施例提供了一种半导体器件及制备方法、集成电路、电子设备,涉及半导体技术领域,用于减少晶体管器件和贯穿触点短接的现象。该半导体器件包括:衬底、多个晶体管单元、接触部和隔离层。多个晶体管单元设置于衬底上。接触部设置于衬底上,至少部分接触部位于相邻的两个晶体管单元之间,其中,至少部分接触部连接于晶体管单元。隔离层覆盖于接触部朝向晶体管单元的表面上。上述半导体器件用于集成电路。