半导体器件及其形成方法

提供了半导体器件及其形成方法。半导体器件可以包括：隔离区域；第一介电层，位于隔离区域上方；第二介电层，位于第一介电层上方；第一源极/漏极区域，位于第二介电层中；第一纳米结构，位于第一源极/漏极区域的侧壁上；第一栅电极，位于第一纳米结构周围；第一源极/漏极接触件，位于第一源极/漏极区域上方并且电连接至第一源极/漏极区域；导电部件，位于第一介电层和隔离区域中；以及介电部件，位于导电部件上方和第二介电层中。第一源极/漏极接触件的第一部分可以位于介电部件的两个内侧壁之间，并且第一源极/漏极接触件的第一部分可以电连接至导电部件。