半导体器件及其形成方法

半导体器件，包括：第一衬底；第一鳍，突出在第一衬底之上；第一纳米结构，位于第一鳍上方；第一栅极结构，位于第一纳米结构周围；第一源极/漏极区域，与第一栅极结构相邻并且接触第一纳米结构的第一子集；第一介电结构，位于第一源极/漏极区域和第一鳍之间，其中，第一介电结构接触第一纳米结构的第二子集；第二纳米结构，位于第一鳍上方，并且与第一纳米结构横向间隔开；第二栅极结构，位于第二纳米结构周围；以及第二源极/漏极区域，与第二栅极结构相邻并且接触第二纳米结构。本申请的实施例还涉及形成半导体器件的方法。