晶体管器件及其形成方法

提供了沟道隔离结构及其形成方法。一种器件包括：多层堆叠件，包括：第一多个纳米结构；第二多个纳米结构，位于第一多个纳米结构上方；以及第一沟道隔离结构。该器件还包括：第一源极/漏极区，位于第一多个纳米结构的相对端上；第二源极/漏极区，位于第一源极/漏极区上方，第二源极/漏极区位于第二多个纳米结构的相对端上；第一栅极结构，围绕第一多个纳米结构；以及第二栅极结构，围绕第二多个纳米结构。第一栅极结构接触第一沟道隔离结构的第一横向表面。本申请的实施例公开一种晶体管器件及其形成方法。