半导体器件及其形成方法

半导体器件包括：多个第一纳米结构，在第一源极/漏极区域之间延伸；以及多个第二纳米结构，与多个第一纳米结构重叠，多个第二纳米结构在第二源极/漏极区域之间延伸。器件还包括：第一绝缘保护层，与第二纳米结构重叠；第一栅极堆叠件，位于多个第一纳米结构周围；以及第二栅极堆叠件，位于第一栅极堆叠件上方并且设置在多个第二纳米结构周围。第一绝缘保护层的横向表面与第一栅极堆叠件的顶面齐平。本申请的实施例还涉及形成半导体器件的方法。