半导体器件及其制备方法

本申请提供了一种半导体器件及其制备方法，属于半导体技术领域，第一晶体管的第一栅氧化层及第一栅电极层依次堆叠在相应的第一有源区上，第一栅氧化层及第一栅电极层沿第一方向延伸的边界不超出相应的第一有源区的边界；绝缘层位于第一器件区的部分衬底上，并覆盖第一栅氧化层沿第一方向延伸的侧壁及第一栅电极层沿第一方向延伸的部分侧壁；第一栅极侧墙的第一部分位于绝缘层上，并覆盖第一栅电极层沿第一方向延伸的剩余侧壁，第二部分位于相应的第一有源区上，并覆盖第一栅电极层沿第二方向延伸的侧壁。本申请将第一栅氧化层及第一栅电极层沿第二方向的宽度变窄，从而降低半导体器件的面积，绝缘层可以避免沟道穿通以及源漏区短路的问题。