一种集成电路的标准单元结构及制备方法

本申请公开了一种集成电路的标准单元结构及制备方法，包括位于衬底的PPNN区域，所述PPNN区域包括PP区和NN区；所述PP区和所述NN区中包括多个沿第一方向延伸的第一鳍片，所述PP区和所述NN区中的至少之一包括多个沿第一方向延伸的第二鳍片，所述第一鳍片和所述第二鳍片沿第二方向间隔排布；所述第二鳍片包括第一鳍结构和第二鳍结构，且具有间隔所述第一鳍结构和所述第二鳍结构的间隔槽。本申请在PPNN区域中增设多个第二鳍片，以增加PPNN区域内的鳍片数量，进而增大饱和漏极电流，提升器件响应速度，相比于传统标准单元结构，器件性能得到了3％及以上的性能提升。