静电保护器件及其制备方法

本发明提供一种静电保护器件及其制备方法，静电保护器件包括：第一导电类型的半导体衬底；形成在半导体衬底中的第二导电类型掺杂区；形成在第二导电类型掺杂区中的第一导电类型掺杂区，其中，第一导电类型和第二导电类型相反；第二导电类型掺杂区与第一导电类型的半导体衬底形成第一PN结，第一导电类型掺杂区与第二导电类型掺杂区形成第二PN结，第一PN结的面积大于或等于第二导电类型掺杂区的平面面积，第二PN结的面积为第二导电类型掺杂区平面面积的50%以上。本发明解决了传统静电保护结构带来的半导体衬底表面凸起问题，同时具有较大的PN结面积，可使器件的保护能力大幅提升。