一种三结太阳电池的外延结构及其制造方法

本发明公开一种三结太阳电池的外延结构及其制造方法，包括依次层叠生长的第一子电池、第二子电池和第三子电池；所述第二子电池包括InGaAs基区、InGaAs发射区、第一背场层和第一窗口层；所述第三子电池包括GaInP基区、GaInP发射区、第二背场层和第二窗口层；所述第一窗口层、第二背场层和第二窗口层中的一层或几层，由多组交替生长的AlInP层、AlInP层构成的超晶格结构组成，其中，0.65≤x1≤0.75，x2=0.4，并且AlInP层为张应力，AlInP层为压应力，本申请将窗口层和/或背场层设置为超晶格结构，在保证晶体质量的前提下，有效提高高温环境下背场层和/或窗口层对载流子的限制能力。