基于混合二维WSe/CuInS量子点异质结的光电探测器及其制备方法

本发明公开了一种基于混合二维WSe/CuInS量子点异质结的光电探测器及其制备方法。所述光电探测器自下而上包括衬底、二维WSe纳米片、CuInS量子点层以及源漏电极，且CuInS量子点均匀涂覆于WSe表面。本发明充分利用了WSe材料的高载流子迁移率特性与CuInS量子点的强光吸收优势，二者形成具有高效界面耦合的异质结界面，显著增强对光子的吸收与光生载流子的分离效率，形成的器件在可见至近红外波段内表现出高光响应度、高探测率及快速响应特性，适用于柔性光电集成系统与宽带光电探测领域。