零栅压两端HEMT太赫兹探测器的设计方法及应用

本发明公开了一种零栅压两端HEMT太赫兹探测器的设计方法及其应用。该方法首先通过设计HEMT器件结构，并调整器件参数，使跨导峰值电压控制在0±50 mV范围内。与传统方法相比，本发明通过直接调控器件参数（如势垒层厚度、沟道层成分比例），即可使跨导峰值电压接近0 V，从而在无需外加栅压的情况下实现器件在跨导最大区工作。这样不仅简化了电路设计，避免了复杂的线路布局，同时还能保持二维电子气不受损伤，维持其高电子迁移率。此外，该方法还能够有效降低功耗与噪声，避免因栅压漂移引起的工作点不稳定，显著提升探测器的长期稳定性和可靠性。