一种红外焦平面阵列芯片组件背减薄抛光制备方法

一种红外焦平面阵列芯片组件背减薄抛光制备方法，所述一种红外焦平面阵列芯片组件，铟柱均匀分布于锑化铟芯片下表面与电路上表面之间，所述填充胶采用真空灌注于锑化铟芯片下表面与电路上表面之间；所述背减薄抛光制备方法包括倒装互连、环氧胶填充固化、石英衬底粘接、单点金刚石车削、化学机械抛光、清洗与腐蚀；本发明采用单点车机械加工方式不产生损裂，不产生坑状点应力损伤，PV值小于1μm，加工过程可控，改变了传统向下加压的研磨方式，克服了组件面型翘曲所面临的加压裂片，厚度不均匀难点，可在红外焦平面阵列芯片获得广泛应用。