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锑化物超晶格红外探测器增强光响应结构及其制备方法

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§ Ⅰ

개요

발명자

冯宇舸; 曹高奇; 吴栋颖; 杨通; 刘一乐; 朱旭波

IPC 분류

H10F 39/12 (2025.01)H10F 39/00 (2025.01)

锑化物超晶格红外探测器增强光响应结构及其制备方法,涉及红外焦平面探测器制备技术领域,包括红外焦平面芯片、硅读出电路、金属电极层、铟柱、环氧树脂胶和介质保护膜,红外焦平面芯片、硅读出电路与多根铟柱通过环氧树脂胶粘接在一起,形成焦平面阵列组件,多根铟柱间隔均匀的设置在红外焦平面芯片、硅读出电路之间,且在多根铟柱的上下两端均设有金属电极层,在红外焦平面芯片的外部设有介质保护膜;本发明通过优化结构设计和制备工艺将超晶格材料的光电性能完全发挥出来低成本、高效率地实现制备超晶格红外焦平面探测器,且降低探测器的响应不均匀度,提升图像整体质量。