三五族化合物与硅异质集成的单光子雪崩二极管及其制备方法

本申请公开了一种三五族化合物与硅异质集成的单光子雪崩二极管及其制备方法，制备方法包括：步骤S11，在硅晶圆上制备所述单光子雪崩二极管的PN结；步骤S12，对所述硅晶圆进行表面处理，然后将三五族化合物晶圆键合到所述硅晶圆上；步骤S13，对所述三五族化合物晶圆进行刻蚀形成红外光吸收区；步骤S14，在所述红外光吸收区上沉积第一介质层；步骤S15，翻转所述硅晶圆，减薄所述硅晶圆的背面的厚度，以所述硅晶圆的背面作为光入射面。