砷化铟/锑化铝超晶格应变补偿生长方法及超晶格结构

本发明涉及半导体器件技术领域，具体提供了一种砷化铟/锑化铝超晶格应变补偿生长方法及超晶格结构，该方法包括：在目标衬底上依次生长第一厚度的砷化铟层、第二厚度的InAsSb应变补偿层、第三厚度的锑化铝势垒层、上述InAsSb应变补偿层，得到周期单元，其中，锑组分x满足0.1≤x≤0.4，第二厚度大于等于0.2nm且小于等于2nm，第一厚度、锑组分x、第二厚度和第三厚度满足平衡条件，平衡条件为周期单元内的张应变总量等于压应变总量；在周期单元上依次生长预设数量的周期单元，得到砷化铟/锑化铝超晶格。以解决相关技术中难以在对砷化铟/锑化铝超晶格进行应变补偿后保证器件性能的问题。