CNIPA.AI
검색으로 돌아가기
기록

背接触电池及其制备方法、光伏组件

발명유효
2조회수
10청구항 · 3 독립항
§ Ⅰ

개요

발명자

陈孝业; 张俊兵; 蒋秀林

IPC 분류

H10F 77/30 (2025.01)H10F 77/14 (2025.01)H10F 71/00 (2025.01)H10F 77/20 (2025.01)H10F 10/166 (2025.01)

本公开的实施例提供了一种背接触电池及其制备方法、光伏组件,涉及太阳能电池领域,背接触电池包括:硅基体;第一载流子收集层,具有第一导电类型;第二载流子收集层,具有与所述第一导电类型相反的第二导电类型;钝化减反层,设在所述硅基体的正面和侧面;和导电层,设在所述硅基体的背面和侧面,所述导电层在所述硅基体的背面覆盖所述第一载流子收集层和所述第二载流子收集层,且所述导电层在所述间隔区设有贯穿所述导电层的隔离槽,所述导电层在所述硅基体的侧面位于所述钝化减反层远离所述硅基体的一侧。该背接触电池具有稳定的侧面钝化性能,从而增强背接触电池的稳定性。