一种高质量、低残余应力的AlN模板及其制备方法

本申请涉及一种高质量、低残余应力的AlN模板及其制备方法，属于半导体技术领域。该制备方法包括以下步骤：步骤1、对蓝宝石衬底进行Ar离子注入得到蓝宝石衬底中间体；Ar离子注入包括：通入Ar的气体体积流量为10~100sccm；步骤2、在蓝宝石衬底中间体上溅射第一AlN层；第一AlN层厚度为10~15nm；步骤3、在第一AlN层上1200~1300℃沉积第二AlN层；步骤4、将第二AlN层退火后清洗，得到AlN中间层；AlN中间层存在微裂纹；微裂纹的宽度为0.01~1μm；步骤5、在AlN中间层上依次生长低温AlN层和高温AlN层，得到AlN模板。该制备方法在保障AlN模板高晶体质量、低翘曲的基础上，有效提高其面内应力均匀性。