一种半导体外延结构及其制备方法、半导体器件

本发明提供一种半导体外延结构及其制备方法、半导体器件。该半导体外延结构包括依次设置的衬底、n型半导体层、发光层和p型半导体层，p型半导体层包括第一p型氮化物层，其沿远离发光层的方向设置有至少一个P型势垒层，P型势垒层包括沿远离发光层的方向依次设置的P型势垒前层、局域结构插入层和P型势垒后层；局域结构插入层包括第一微结构与第二微结构，P型势垒前层与后层接触的表面具有第一凹槽，第一凹槽内设置有第一微结构；P型势垒后层与前层接触的表面具有与第一凹槽对应的第二凹槽，第二凹槽内设置有第二微结构。第一微结构、第二微结构之间因带隙差异能够形成极化效应，从而形成二维空穴气，提高第一p型氮化物层的空穴浓度。