一种光辅助化学掺杂有机半导体材料方法与应用

本发明涉及一种光辅助化学掺杂有机半导体材料的方法与应用，属于有机半导体掺杂技术领域，解决了现有的掺杂剂氧化性不足，无法对高性能有机半导体进行高效掺杂，并且掺杂稳定性低，对器件的长期稳定性产生不利影响的问题，并且能够实现亚微米级的有机半导体图案化掺杂，为有机集成电路的加工工艺提供了一种可靠的思路。该方法利用光致电荷转移的基本原理，能够突破传统掺杂剂和有机半导体之间对于高效掺杂所需的特定能级结构的限制，实现在光激发态下有机半导体和掺杂剂之间的高效电荷转移，从而大幅度提高有机半导体的掺杂度，可以将有机半导体的掺杂电导率提高4个数量级以上。