ZnSb合金化与Se掺杂调控p型BiTe热电材料及器件的制备方法

本发明涉及一种ZnSb合金化与Se掺杂调控p型BiTe热电材料及器件的制备方法。将Bi、Sb、Te、Se、ZnSb原料抽真空封管后，进行高温熔炼、自然冷却、高能球磨与快速热压烧结，制备得到块体材料。该材料结晶度高、致密性好且显微结构均匀，ZnSb合金化与Se掺杂可调控载流子浓度与晶格热导率，实现电导率与Seebeck系数的协同优化，热电优值在353 K时达1.51。此外，将该p型材料与n型BiTeSe材料组装为多对p‑n支腿热电器件，温差10 K时制冷效率约3.2，温差208 K时发电效率约7.1%。本发明工艺简便、重复性高，适用于高性能BiTe基热电材料及集成器件的制备。