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기록

一种轨道矩磁性存储器及其制备方法

발명유효
9청구항 · 2 독립항
§ Ⅰ

개요

발명자

张德林; 苟金龙; 马雯雯; 王平; 姜勇

IPC 분류

H10N 50/10 (2023.01)H10N 50/85 (2023.01)H10N 50/01 (2023.01)H10N 52/85 (2023.01)H10N 52/01 (2023.01)H10B 61/00 (2023.01)

本发明提供了一种轨道矩磁性存储器及其制备方法,所述轨道矩磁性存储器包括从下至上依次设置的衬底、轨道霍尔层、自由层、势垒层、定扎层,轨道霍尔层包括上下设置的金属层和FeMn层,自由层包括上下设置的第一CoFeB层和FeGaTe层,定扎层包括上下设置的[Co/Pt]层、Ta层和第二CoFeB层。该结构利用轨道霍尔层高效产生轨道流、交换偏置场及杂散场,并通过FeGaTe层的强自旋轨道耦合特性,同时在低电流下实现自旋极化与磁化翻转。该轨道矩磁性存储器不仅在保持较快的写入速度的同时降低了功耗,并且在高速数据存取中展现出优越的性能,并为未来轨道电子学、磁存储等领域的应用提供基础支持。