一种具有低温反常霍尔效应的铱酸锶薄膜异质结、制备方法及应用

本发明涉及半导体技术领域，公开了一种具有低温反常霍尔效应的铱酸锶薄膜异质结、制备方法及应用，异质结包括在晶面取向为(001)的SrTiO基片表面外延生长的SrIrO单晶薄膜，及外延生长于SrIrO单晶薄膜表面的SmNiO单晶薄膜；本发明通过脉冲激光沉积系统，在预处理后的SrTiO基片上外延生长一层SrIrO单晶薄膜；再在生长的SrIrO外延薄膜上利用脉冲激光沉积技术外延生长一定厚度的SmNiO单晶薄膜得到SrTiO/SmNiO异质结；得到的异质结在50 K以下，温度对其反常霍尔效应的信号大小有连续调控作用。