三维磁场监控器件及其制造方法

本发明提供一种三维磁场监控器件及其制造方法。该器件包括：设置在半导体衬底内的水平霍尔器件、至少一个垂直霍尔器件以及用于将二者隔离的隔离结构。其中，水平霍尔器件的有源区为具有第一导电类型的第一掺杂区，垂直霍尔器件的有源区为具有相同导电类型的第二掺杂区，且第二掺杂区的结深大于第一掺杂区的结深。本发明还公开了相应的制造方法。本发明通过巧妙利用标准BCD工艺平台中不同深度的现有掺杂层，无需增加额外光刻步骤，即可在单一芯片上经济高效地集成高性能、低噪声且隔离良好的三维磁场监控模块，具有工艺兼容性好、成本低、集成度高的优点。