一种晶圆级MoS薄膜垂直结构忆阻器的制备方法

本发明涉及半导体材料与器件技术领域，具体涉及一种晶圆级MoS薄膜垂直结构忆阻器的制备方法。在本发明中，通过磁控溅射法在基片上沉积MoS薄膜，结合化学气相沉积技术，使用含硫物质和铵盐为前驱体进行硫化，获得晶圆级MoS晶体薄膜。利用磁控溅射后硫化生长出有部分缺陷的MoS薄膜，不需要对材料进行二次处理，构建了低成本、高开关比、耐久性强的垂直忆阻器。