光电突触器件及其制备方法

本申请实施例提供一种光电突触器件及其制备方法，涉及光电技术领域，该光电突触器件包括衬底层；位于所述衬底层上方的源电极和漏电极，所述源电极和漏电极之间的空白区域为沟道区；金属纳米颗粒层，位于所述沟道区；二维半导体层，覆盖所述金属纳米颗粒层及所述源电极和所述漏电极。本申请实施例的光电突触器件可以实现了短时程记忆与长时程记忆模式的动态切换，且全程无需栅极电压的介入。