半导体结构及半导体结构的制备方法

本公开提供了半导体结构及半导体结构的制备方法，涉及半导体技术领域。该半导体结构包括：衬底；位于衬底上方的支撑结构以及间隔排布的电容孔，电容孔贯穿支撑结构；位于电容孔内的下电极，其中，下电极包括第一下电极层、第二下电极层和第三下电极层，第一下电极层覆盖电容孔的底部和侧壁，第二下电极层共形于第一下电极层，并构成空腔，第三下电极层填充于空腔；其中，第二下电极层的功函数大于第一下电极层的功函数，且大于第三下电极层的功函数。根据本公开实施例，能够改善半导体结构的漏电性能，同时降低半导体结构的电阻。