一种晶圆背金之方法

本发明公开了一种晶圆背金之方法，确认待作业晶圆的背面已完成抛光作业或蚀刻作业，其中背面抛光作业后晶圆背面的表面粗糙度Ra范围为0.1‑0.5μm区间，背面蚀刻作业的蚀刻深度为5‑20μm；本发明通过创新的低温无加热设计、纯公转镀锅结构及动态浓度控制方法，全面改善了晶圆背金工艺的质量、效率与成本指标，具有突出的实质性特点和显著的进步，可广泛应用于各类半导体器件的背面金属化生产。