一种氮化镓外延结构及其制备方法

本申请涉及一种氮化镓外延结构及其制备方法，属于半导体功率器件技术领域。该氮化镓外延结构的制备方法包括以下步骤：于衬底层的表面沉积形成SiO掩膜，SiO掩膜具有窗口区域，至少部分衬底层由窗口区域露出；于SiO掩膜背离衬底层的表面沉积形成AlO掩膜；于窗口区域内以及AlO掩膜的表面生长形成GaN缓冲层；于GaN缓冲层的表面生长形成GaN外延层。通过采用由酸性SiO和碱性AlO组成的组合介电薄膜掩膜，可协同调控GaN的成核速率，提高侧向外延生长均匀性，减少掩膜材料与GaN之间的界面应力，降低外延层的位错密度，从而提高GaN外延层的结晶质量和生长效率。