衬底的氧化方法及半导体器件

本发明提供一种衬底的氧化方法及半导体器件，在衬底的氧化方法中，确定待形成的氧化层的目标厚度，氧化层的目标厚度大于0μm且小于等于4μm；根据目标厚度，确定衬底的目标氧含量和衬底的目标氮含量，衬底的目标氧含量为6new ppma~18new ppma，衬底的目标氮含量为1×10atoms/cm~3×10atoms/cm；提供具有目标氧含量和目标氮含量的衬底；根据氧化层的目标厚度，确定氧化工艺的氧化温度和氧化时间；根据氧化工艺的氧化温度和氧化时间，对衬底执行氧化工艺以在衬底上形成目标厚度的氧化层。如此，使得不同目标厚度的氧化层所对应的衬底中的体微缺陷的尺寸和密度均不同，并调整了氧化工艺的氧化温度和氧化时间，避免因氧化温度过高以及氧化时间过长而导致的滑移线缺陷。