圆接触孔及长接触孔的刻蚀方法

本发明公开了一种圆接触孔及长接触孔的刻蚀方法，在衬底上完成HBT器件主体结构之后，进行包括圆接触孔及长接触孔的刻蚀，所述长接触孔的刻蚀深度大于所述圆接触孔；进行第一次的主刻蚀，在高功率下，O及Ar氛围下通入CF气体的进行主刻蚀；进行第二次的主刻蚀，提升刻蚀选择比，在O及Ar氛围下通入CF及CxFy气体的进行主刻蚀；进行氧化硅层的刻蚀，在O及Ar氛围下通入CxFy及CHF气体，进一步提升对氮化硅的刻蚀选择比，刻蚀氧化硅层；进行氮化硅层的刻蚀，在O及Ar氛围下通入CHF气体刻蚀氮化硅层。本发明所述的圆接触孔及长接触孔的刻蚀方法，通过梯度分步刻蚀，梯度消除负载效应，可以同时完成圆接触孔及长接触孔的刻蚀，且刻蚀形貌能达到设计要求。