一种薄膜侧壁小角度的制备方法

本发明公开了一种薄膜侧壁小角度的制备方法，其具体步骤如下：首先采用薄膜化学气相沉积工艺，在硅片或玻璃基板表面生长3～6um二氧化硅膜层，再通过光刻工艺在二氧化硅膜层上涂覆2～10um厚度的光刻胶，形成光刻胶层；对光刻胶层进行曝光、显影，形成10～20um宽度的光刻胶线条；显影后进行烘烤，再冷却至室温；冷却后对二氧化硅膜层进行刻蚀，刻蚀后得到具有线宽的二氧化硅线条；刻蚀后，将二氧化硅膜层上覆盖的光刻胶层采用干刻法去除，然后湿法清洗得到裸露的具有倾斜形貌的二氧化硅线条结构。本专利薄膜的倾斜形貌角度比较稳定，能够满足产品参数要要求，方便后续磁控金属薄膜溅射沉积磁性金属膜层。