一种控制干法刻蚀形貌的方法

本发明提供了一种控制干法刻蚀形貌的方法，所述方法包括：（1）在衬底晶圆表面沉积待刻蚀的至少一层膜层，然后旋涂光刻胶掩膜，进行曝光显影处理，完成光刻胶掩膜的图形化，得到待刻蚀晶圆；（2）将待刻蚀晶圆固定于载台，而后进行预设能量、预设角度的离子束刻蚀，得到具有不同角度、不同深度、不同大小孔洞的沟槽；所述预设角度通过控制至少一个离子束的入射角度和/或载台的倾斜角度实现。本发明先基于图形化的光刻胶掩膜进行离子束刻蚀以形成刻蚀区域，再通过控制离子束的能量、角度等实现在不同刻蚀区域形成不同深度、不同大小、不同角度的光栅结构，实现刻蚀形貌控制，对一些光学器件上需要不同深度不同角度的周期排列非常有意义。