一种去除TiW膜层湿法腐蚀后表面絮状残留的方法

本发明公开了一种去除TiW膜层湿法腐蚀后表面絮状残留的方法，其具体步骤如下：S1：基底上依次设置有AMR磁性金属膜层、TiW膜层和铝膜层，使用HO溶液在20～40℃下腐蚀晶圆表面刻开区的TiW膜层，再对其进行冲水、甩干；S2：甩干后将其放置于四甲基氢氧化铵溶液中快速腐蚀1‑60秒，腐蚀后进行冲水、甩干，获得无絮状残留的产品。本专利可以彻底去除絮状TiW残留，且对硬掩模层和停止层均有足够高的选择比，故无需担心会损伤硬掩模层与停止层图形。