一种半导体工艺方法及半导体结构

本发明提供一种半导体工艺方法及半导体结构，半导体工艺方法包括：半导体结构包括衬底层和器件层，器件层包括芯片和相邻芯片之间的切割道区域；半导体结构上表面有硬掩模介质层；对硬掩模介质层激光切割显露衬底层，以硬掩模介质层为掩膜对衬底层等离子体刻蚀得到第二沟槽；对半导体结构下表面减薄至第二沟槽贯通，得到分离的芯片结构。本发明用硬掩模介质层作为掩膜进行切割，避免光刻胶在深槽中涂覆效果差导致显影不良，避免对等离子体刻蚀产生影响而导致切割得到的芯片侧壁形貌差，提高切割分离后得到的产品良率，降低生产成本；同时通过在第二沟槽设置保护层，修复等离子体刻蚀对第二沟槽侧壁的损伤，进一步提高切割分离后得到的产品良率。