一种针对厚金属层的晶圆切割方法

本发明涉及芯片封装技术领域，具体的说是一种针对厚金属层的晶圆切割方法。一种针对厚金属层的晶圆切割方法，具体方法流程如下：S1，对晶圆的背面进行研磨，达到所需的厚度；S2，对晶圆的背面进行贴膜，并安装铁环支撑；S3，对晶圆正面沿切割道进行激光开槽；S4，对完成激光开槽的晶圆的正面进行清洗；S5，把清洗好后的晶圆移动到隐形切割设备的工作台上，对晶圆正面的槽底位置进行隐形切割，在开好槽的槽底进行隐形切割作业，并在晶圆硅面形成BHC；S6，对晶圆进行蹦膜；S7，对完成蹦膜的晶圆进行清洗。同现有技术相比，此种加工方法提高了晶圆切割的加工能力，即厚金属晶圆的金属厚度在20μm~80μm范围内可以加工；降低了加工成本。