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案件記録
温控基座以及半导体设备
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15請求項 · 2 独立
§ Ⅰ
案件概要
発明者
尹艳超
IPC分類
H10P 72/70 (2026.01)H10P 72/00 (2026.01)
一种温控基座以及半导体设备,温控基座中的所述温控结构与所述温控盘热性耦合,用于对所述温控盘进行升温、降温或者恒温控制,温控结构与温控盘之间进行热性耦合,使得温控盘具有双向温度调节能力,能够对承载于其上的晶圆进行灵活的升温、降温或者恒温控制;与此同时,冷却结构与温控结构为热性耦合,用于及时转移温控结构在工作时产生的废热,达到对温控结构降温的目的,使得温控结构不仅能够向温控盘提供热量来加热,也能够从温控盘吸收热量来制冷,从而使温控基座利用单一部件就具备加热与制冷的能力。
外部リソース