一种基于大数据的集成电路设备数据优化监测系统及方法

本发明公开了一种基于大数据的集成电路设备数据优化监测系统及方法，涉及集成电路制造技术领域。用于解决等离子体蚀刻中多物理场监测不足、异常溯源难及闭环控制缺失问题。通过采集射频反射相位、质谱离子强度及晶圆温度数据，构建等离子体鞘层厚度反演模型与刻蚀选择比模型，建立工艺参数‑等离子体状态动态耦合。融合干涉图像畸变特征与电镜尺寸数据，解析微沟槽几何参数，生成形貌失稳风险指数实现纳米级预警。设计双通道融合网络，嵌入物理约束注意力机制，生成刻蚀速率优化指令。基于增量学习在线更新模型参数，形成“监测‑决策‑反馈”闭环体系，提升异常检测灵敏度与决策可靠性，为集成电路设备智能化提供技术支撑。